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金融界2025年1月18日音书，国度常识产权局新闻显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体筑立和用于缔造该半导体筑立的法子”的专利，公然号 CN 119314946 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公然涉及半导体筑立和用于缔造该半导体筑立的法子。一种半导体筑立包含：多个第一接触部，其正在半导体衬底中互相间分开预订间隔；多个导电构造，其造成正在第一接触部上方、正在第一宗旨上延长而且正在笔直于第一宗旨的第二宗旨上间分开，该多个导电构造中的每个导电构造与第一接触部中的每个第一接触部个别地重叠，而且该多个导电构造中的每个导电构造所拥有的与第一接触部中的每个第一接触部重叠的个其余顶皮相处于比不与第一接触部中的每个第一接触部重叠的个其余顶皮相低的层级处；多个第二接触部，其创立正在相邻导电构造之间；以及多个间隔件构造，其创立正在导电构造与第二接触部之间。
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