优发国际官网手机版:真空镀膜建造半导体建造清单中微半导体公司官网半导体

　　金融界2025年3月29日信息，国度学问产权局新闻显示，中微半导体装备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种边沿刻蚀装备”的专利，公然号CN 119694869 A，申请日期为2023年9月。

　　专利摘要显示，本创造公然一种边沿刻蚀装备，包罗：反响腔；基座，树立于所述反响腔的内部底部，用于承载晶圆；上遮挡部，树立于所述反响腔的内部顶部；下局部环，盘绕所述基座树立；以及上局部环，盘绕所述上遮挡部树立；所述上局部环和所述下局部环配合以正在所述晶圆的边沿区域造成等离子体反响空间；且所述上局部环上设有朝向所述等离子体反响空间的第一缺口。本创造中第一缺口的树立可能有用补充等离子体反响空间的容积，从而使得等离子体反响空间内可能容纳更多的工艺气体，进而正在对工艺气体电离后发生更多的等离子体，以大幅度地降低晶圆边沿区域的刻蚀速度。

　　天眼查原料显示，中微半导体装备（上海）股份有限公司，造造于2004年，位于上海市，是一家以从事估量机、通讯和其他电子装备创造业为主的企业。企业注册血本62236.3735万国民币，实缴血本61927.9423万国民币。通过天眼查大数据理会，中微半导体装备（上海）股份有限公司共对表投资了28家企业，到场招投标项目65次，财富线条，别的企业还具有行政许可71个。

上一篇：半导体摆设分类图半导体摆设品种半导体 下一篇：建造清单模板半导体建造关系学问半导体建造名